產(chǎn)品介紹
產(chǎn)品性能
應(yīng)用案例
生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域：
可應(yīng)用于腫瘤細(xì)胞的判別、出血性息肉的判別、肉白班的識(shí)別、淋巴細(xì)胞白血病的篩查、細(xì)胞質(zhì)和細(xì)胞核的 區(qū)分、細(xì)胞數(shù)的計(jì)算等。
基于顯微高光譜的喉部黏膜出血性息肉和肉白斑區(qū)域快速識(shí)別（紅色區(qū)域）
20倍目鏡下顯微高光譜判別腫瘤位置及異常細(xì)胞擴(kuò)散位置
基于顯微高光譜計(jì)算細(xì)胞核、細(xì)胞質(zhì)和其他物質(zhì)的快速區(qū)分 根據(jù)細(xì)胞質(zhì)心位置計(jì)算細(xì)胞數(shù)目（一共402個(gè)）
暗場(chǎng)散射納米顆粒檢測(cè)
暗場(chǎng)顯微是在暗場(chǎng)照明下實(shí)現(xiàn)的一種特殊顯微手法，可以避免與被觀測(cè)物體無關(guān)的光線進(jìn)入物鏡，在暗背景中呈 現(xiàn)清晰的物體輪廓。應(yīng)用該方法可見到小至4~200nm的微粒子，分辨率可比普通明場(chǎng)照明顯微法高50倍。搭載高光 譜成像系統(tǒng)的顯微鏡可判別其微粒子種類等。
圖中是在單次氣管內(nèi)滴注低（18 pg）和高（162 pg）納米二氧化鈦后，對(duì)來自小鼠的肺組織進(jìn)行VNIR高光譜成 像，以確定這些組織中的顆粒滯留位置。
納米二氧化鈦暴露組織的暗場(chǎng)圖像（上圖）
來自納米二氧化鈦暴露組織的暗場(chǎng)高光譜圖像識(shí)別出這些納米顆粒，他們表現(xiàn)為白色包裹體的聚集體（中圖）
這些組織中納米二氧化鈦在高光譜圖顯示為紅點(diǎn)或聚集體（下圖）
OLED顯示屏發(fā)光測(cè)試
顯微高光譜成像系統(tǒng)通過不同倍數(shù)的目鏡，可以獲取更高空間分辨率的OLED顯示屏的發(fā)光圖像，通過高光譜圖像數(shù) 據(jù)"圖譜合一”的特點(diǎn)檢測(cè)OLED顯示屏發(fā)光的均勻性及穩(wěn)定性。
20X、50X和100X下檢測(cè)OLED顯示屏的發(fā)光情況
晶片材料、缺陷檢測(cè)
無接觸、無損傷、快速準(zhǔn)確的微區(qū)測(cè)量技術(shù)，可在室溫下操作，也可以在生產(chǎn)中進(jìn)行在線測(cè)量，可得到整個(gè) 晶片的PL Mapping,從而可得到襯底或外延層的組分配比、缺陷以及材料其他屬性的微區(qū)均勻性的重要信息?；陲@微高光譜成像技術(shù)可在細(xì)微尺度上鑒別晶片的材質(zhì)以及樣品發(fā)光中心濃度的變化等。
植入硼、鋁以及無植入特殊材質(zhì)下晶片在顯微鏡高光譜成像系統(tǒng)下的圖像及光譜
鈣鈦礦晶體中的應(yīng)用
顯微高光譜成像系統(tǒng)在鈣鈦礦晶體材料不均一性問 題的檢測(cè)與傳統(tǒng)檢測(cè)技術(shù)如共聚焦顯微成像等相比，具有以下優(yōu)點(diǎn)：?jiǎn)未握晥?chǎng)成像；在PL成像實(shí)驗(yàn)中該系統(tǒng)的激發(fā)光源在視野中的強(qiáng)度是均勻分布的；可獲得光譜強(qiáng)度的定量值。
鈣鈦礦PL數(shù)據(jù)。圖（a）和（b）顯示了分別在625nm和750nm處拍攝的兩張不同的單色PL圖像
圖（c）為圖1中不同位置的光譜圖
圖（d）為指定區(qū)域PL圖譜頻移成像圖
LED/OLED光源顯示屏上的應(yīng)用
顯微高光譜技術(shù)逐漸在半導(dǎo)體材料和器件的測(cè)試領(lǐng)域得到應(yīng)用。顯微高光譜成像技術(shù)目前主要應(yīng)用于半導(dǎo)體 材料發(fā)光均勻性研究，對(duì)半導(dǎo)體材料的缺陷進(jìn)行檢測(cè)分析，對(duì)LED芯片表面溫度空間分布等。
顯微高光譜反演不同LED光源面板的溫度
應(yīng)用領(lǐng)域
1、生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域
2、暗場(chǎng)散射納米顆粒檢測(cè)
3、OLED顯示屏發(fā)光測(cè)試
4、晶片材料
5、缺陷檢測(cè)
6、鈣鈦礦晶體中的應(yīng)用
7、LED/OLED光源顯示屏上的應(yīng)用
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